Mainboard GIGABYTE B760M AORUS ELITE (LGA1700 | mATX | 4 Khe RAM DDR5)

Mainboard GIGABYTE B760M AORUS ELITE là bo mạch chủ mATX gọn nhẹ mang lại hiệu năng lớn với các tụ điện cấp điện năng lớn cho các con chip Intel đời mới. Tối ưu hóa các ổ cắm PCIe phù hợp cho các khách hàng nhu cầu thấp với giá cả cực kì hợp lý.

Bảng mạch PCB tiên tiến

Mainboard GIGABYTE B760M AORUS ELITE sở hữu hệ thống điện 12+1+1, 2 pha, giải phóng và duy trì hiệu suất tối đa với thiết kế VRM tích cực được tích hợp với hệ thống nguồn CPU kỹ thuật số. Kết hợp các đầu nối nguồn 8 + 4 chân sẵn sàng cung cấp dòng điện dồi dào để điều khiển những bộ vi xử lý Intel thế hệ thứ 12 và 13 mới nhất.

PCB 6 lớp cung cấp các dấu vết tín hiệu ổn định và các dạng năng lượng mang lại nhiệt độ thấp hơn và hiệu suất năng lượng cao hơn cho việc ép xung bộ nhớ. Do đó, nó có thể hỗ trợ các mô-đun bộ nhớ mới nhất với hiệu suất bộ nhớ cao nhất! Giữa các lớp PCB có 2 lớp đồng siêu mỏng, mang lại nhiệt độ thấp hơn và hiệu suất năng lượng cao hơn cho việc ép xung.

Nâng tầm khả năng làm mát, gia tăng tính ổn định

Bề mặt lớn gấp 2 lần: Tăng diện tích bề mặt lớn hơn tới 2 lần so với tản nhiệt truyền thống. Nó cải thiện khả năng tản nhiệt từ MOSFET.

Tấm chắn nhiệt M.2: Lưu ý đến độ bền, GIGABYTE cung cấp giải pháp tản nhiệt cho các thiết bị SSD M.2. Bộ bảo vệ nhiệt M.2 ngăn hiện tượng tiết lưu và tắc nghẽn từ ổ SSD M.2 tốc độ cao vì nó giúp tản nhiệt trước khi nó trở thành vấn đề.

Thiết kế nhiều đường cắt: TMOS có một số kênh và đầu vào trên tản nhiệt. Thiết kế này cho phép luồng không khí đi qua dẫn đến cải thiện đáng kể hiệu suất truyền nhiệt.

Bằng cách sử dụng đồng 2X trên lớp bên trong PCB, nó làm giảm nhiệt độ của các thành phần ít nhất 3% qua biến PCB thành một tản nhiệt bằng đồng có kích thước PCB siêu mỏng để tản nhiệt từ các thành phần một cách hiệu quả, do tính dẫn nhiệt cao và trở kháng thấp hơn.

Hỗ trợ DDR5
 

GIGABYTE BIOS cung cấp các cấu hình được xác định trước và có thể truy xuất để người dùng có được cao hơn hiệu suất một cách dễ dàng. Các hồ sơ được dựa trên một cơ sở dữ liệu được tạo ra bởi kiểm tra mỗi nhà cung cấp IC bộ nhớ và PMIC để tối ưu hóa các mô-đun để giải phóng chúng đầy tiềm năng. Đây là một tính năng tiết kiệm thời gian để cấu hình ép xung thủ công bộ nhớ DDR5.

Định tuyến bộ nhớ được bảo vệ:Tất cả định tuyến bộ nhớ nằm dưới lớp bên trong PCB được che chắn bởi một lớp tiếp đất lớn để bảo vệ khỏi sự can thiệp từ bên ngoài.

Cấu trúc liên kết được tối ưu hóa trở kháng: Bằng cách tối ưu hóa chiều rộng, chiều dài và kiểu theo dõi bộ nhớ từ mô phỏng HPC đến triển khai thực tế, trở kháng tổng thể được hạ thấp giữa bộ điều khiển bộ nhớ CPU và các mô-đun bộ nhớ để đạt được tốc độ DDR5 cao hơn.

Hạn chế mất tín hiệu PCB: Vật liệu PCB suy hao trung bình hoặc suy hao thấp cấp máy chủ được chọn để giảm suy hao tín hiệu bên trong PCB và duy trì truyền tín hiệu tốc độ cao DDR5.

Hỗ trợ PCIe 4.0 được gia cố kết nối

GIGABYTE B760M AORUS ELITE sở hữu khe cắm PCIe 4.0 có tốc độ kết nối tăng gấp đôi so với thế hệ 3.0, băng thông có thể đạt tới 64GB/s. Khe cắm hỗ trợ được cố định vào bo mạch chủ bằng các điểm hàn bổ sung và hỗ trợ trọng lượng của cạc đồ họa nặng. 

Kết nối đa dạng, nhanh chóng

Bo mạch chủ GIGABYTE B760M AORUS ELITE có giải pháp mạng cao cấp của Gigabte cung cấp kết nối LAN 2.5GbE nhanh chóng, ổn định cho người dùng tốc độ truy cập nhanh nhất.

Các cổng kết nối đa dạng tốc độ cao, hỗ trợ tối đa người dùng.

Các bo mạch chủ dòng MSI PRO cung cấp nhiều tùy chọn để kết nối và tăng cường các thiết bị USB của bạn, cung cấp tốc độ USB chưa từng thấy trước đây lên tới 10Gb/giây khi kết nối USB Type-C phía sau.